Dialog将非易失性电阻式RAM技术授权与格芯22FDX平台，服务IoT和AI应用

云栖网 2020-10-20 15:29 来源：云栖网

云栖网：英国伦敦、美国圣克拉拉，2020年10月20日–领先的电池和电源管理、Wi-Fi、低功耗蓝牙（BLE）、工业边缘计算解决方案供应商Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）和全球领先特殊工艺半导体代工厂格芯®(GLOBALFOUNDRIES®)今天联合宣布，已就Dialog向格芯授权导电桥接RAM（CBRAM）技术达成协议。该基于电阻式RAM（ReRAM）的技术由Dialog半导体公司于2020年收购的AdestoTechnologies首创。格芯首先将在其22FDX®平台上以嵌入式非易失性存储器（NVM）选项提供Dialog的CBRAM，后续计划将该技术拓展到其他平台。

Dialog独有的且经过生产验证的CBRAM技术是一项低功耗的NVM解决方案，专为物联网（IoT）、5G连接、人工智能（AI）等一系列应用而设计。低功耗、高读/写速度、更低的制造成本、对恶劣环境的耐受能力使CBRAM特别适合消费、医疗、和特定的工业及汽车等应用。此外，CBRAM技术为这些市场中的产品所需的先进技术节点提供了具成本效益的嵌入式NVM。

Dialog半导体公司企业发展高级副总裁兼工业混合信号业务部总经理MarkTyndall表示：“CBRAM是Adesto杰出的标志性存储技术之一，该技术加入到Dialog产品组合中具有重要的战略意义。此次与格芯的授权合作恰好证明了Dialog和Adesto融合后开展业务的速度。展望未来，我对我们和格芯牢固的合作关系非常有信心。此次授权协议不仅为行业提供了最先进的技术，也为Dialog在下一代系统级芯片（SoC）中采用先进CBRAM技术提供了机遇。”

格芯高级副总裁兼汽车、工业和多市场业务部总经理MikeHogan表示：“我们与Dialog的合作彰显了格芯在为客户进一步提供差异化优势和增值的领域加大投资的承诺。Dialog的ReRAM技术是对我们领先的eNVM解决方案系列非常好的补充。该存储器解决方案结合我们的FDX平台，将帮助我们客户进一步突破技术边界，提供新一代安全的IoT和边缘AI应用。”

Dialog的CBRAM技术克服了ReRAM常见的集成和可靠性挑战，提供了可靠且低成本的嵌入式存储器，同时保留了ReRAM的低电压运行能力。这意味着可以实现比标准嵌入式闪存更低功耗的读写操作。

CBRAM将于2022年在22FDX平台上以嵌入式NVM选项供格芯的客户使用。通过IP定制，客户可以修改CBRAM单元以优化其SoC设计，提升安全性，或对单元进行调整以适合新的应用。此外，CBRAM作为一种“后道工序”技术，可以相对容易地集成到其他技术节点中。

了解更多有关DialogCBRAM技术，敬请浏览网页：https://www.dialog-semiconductor.com/products/memory/cbram-technology

了解更多有关格芯22FDX平台，敬请浏览网页：https://www.globalfoundries.com/technology-solutions/cmos/fdx/22fdx

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关于Dialog半导体公司

Dialog半导体公司是推动物联网和工业4.0应用发展的领先标准和定制集成电路（IC）供应商。Dialog提供电池和电源管理、低功耗蓝牙（BLE）、Wi-Fi、闪存和可配置混合信号IC等经市场验证的产品技术，帮助客户产品提升功率效率、缩短充电时间，并不断提高性能和生产效率。

Dialog采用无晶圆厂运营模式，作为雇主积极承担社会责任，开展各项活动造福员工、社区、其他相关利益方和自然环境。凭借数十年的技术经验和世界领先的创新实力，我们帮助设备制造商引领未来。我们对技术创新的热情和创业精神使我们始终在高能效半导体技术领域保持领先地位，助力物联网、移动、计算和存储、智慧医疗和汽车市场的发展。Dialog半导体公司总部位于英国伦敦附近，在全球设有销售、研发和市场营销办事处。2019年，Dialog实现了约14亿美元营业收入，并一直是发展最快的欧洲上市半导体公司之一。目前，公司在全球约有2300名员工。公司在德国法兰克福（FWB:DLG）证券交易所上市（RegulatedMarket,PrimeStandard,ISINGB0059822006）。

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